Un memristor de grafeno con cruce de 0,34 × 0,34 nm² supera 10³ de conmutación y demuestra computación probabilística con 370 nW.
La cifra de 0,34 nm describe el cruce activo entre bordes de grafeno, no un ordenador entero de tamaño atómico. Un memristor de bordes de grafeno define un cruce de 0,34 × 0,34 nm², supera 10³ de relación de conmutación y demuestra bits probabilísticos a 370 nW. Un memristor de grafeno con cruce de 0,34 × 0,34 nm² supera 10³ de conmutación y demuestra computación probabilística con 370 nW. En la práctica: Investigadores fabricaron un memristor de borde de grafeno con un área geométrica de electrodo cruzado de 0,34 × 0,34 nm².
El nuevo memristor lleva la zona activa de cruce a dimensiones comparables al grosor de una sola capa de grafeno.
Los investigadores desarrollaron una técnica de ingeniería de tensiones para transferir grafeno intacto sobre paredes laterales verticales.
Combinada con pulido químico-mecánico y unión a nivel de oblea, la técnica produjo un cruce de 0,34 por 0,34 nanómetros cuadrados.
El dispositivo mostró una relación ON/OFF superior a mil y comportamiento volátil.
Esa volatilidad se aprovechó para demostrar bits probabilísticos, útiles en algoritmos que necesitan azar físico controlado.
La potencia reportada para esa demostración fue de 370 nanovatios.
El resultado apunta a densidades muy altas y computación probabilística de bajo consumo.
La barrera práctica es convertir una celda extrema en matrices grandes, uniformes y fabricables.
Investigadores fabricaron un memristor de borde de grafeno con un área geométrica de electrodo cruzado de 0,34 × 0,34 nm².
El dispositivo alcanzó una relación de conmutación superior a 10³ y comportamiento volátil.
En una demostración de bits probabilísticos operó con una potencia reportada de 370 nW.
Los memristores pueden almacenar o procesar información mediante estados resistivos y son candidatos para hardware neuromórfico y probabilístico.
Reducir la dimensión efectiva de los electrodos es difícil porque los materiales 2D pueden dañarse durante fabricación.
Fuentes: Nature Communications — memristor de grafeno de 0,34 nm
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