Transistores de MoS2 monocapa con canal inferior a 5 nm alcanzan 88 mV/dec, on/off >10^6 y se integran mediante un proceso fotolitográfico sobre wafer de 4 pulgadas.
El avance no significa que ya exista un chip comercial mejor que los de silicio: demuestra que MoS2 puede mantener buen control electrostático a escalas extremadamente pequeñas. Transistores de MoS2 monocapa bajan de 5 nm de canal, alcanzan 88 mV/dec y on/off >10^6, con integración demostrada sobre oblea de 4 pulgadas. Transistores de MoS2 monocapa con canal inferior a 5 nm alcanzan 88 mV/dec, on/off >10^6 y se integran mediante un proceso fotolitográfico sobre wafer de 4 pulgadas. En la práctica: Un equipo ha fabricado transistores de MoS2 monocapa con longitudes físicas de canal inferiores a 5 nm.
El silicio sigue dominando la electrónica, pero reducir el tamaño de sus transistores cada vez resulta más difícil.
Un nuevo trabajo con MoS2 monocapa lleva la longitud física del canal por debajo de cinco nanómetros.
Los dispositivos alcanzaron un subthreshold swing de 88 milivoltios por década y una relación entre estado encendido y apagado superior a un millón.
Los autores utilizaron aislamiento mediante air-gap y un diseño optimizado de solape puerta-contacto para contener los efectos de canal corto.
El proceso se apoya en fotolitografía y fue diseñado para ser compatible con flujos CMOS.
Además, el equipo demostró integración a escala de oblea de cuatro pulgadas.
El resultado muestra que materiales 2D pueden seguir escalando donde el silicio empieza a encontrar barreras.
El reto pendiente es convertir esa demostración en una tecnología reproducible, fiable y competitiva dentro de una fábrica de chips.
Un equipo ha fabricado transistores de MoS2 monocapa con longitudes físicas de canal inferiores a 5 nm.
Los dispositivos lograron un subthreshold swing de 88 mV/dec y una relación on/off superior a 10^6.
El proceso es compatible con fotolitografía CMOS y se demostró sobre obleas de 4 pulgadas.
La reducción del canal en transistores de silicio se acerca a límites físicos y electrostáticos.
Los semiconductores bidimensionales como MoS2 permiten canales extremadamente delgados que ayudan a controlar efectos de canal corto.
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